SOI 衬底 4英寸 6英寸 8英寸 绝缘体上硅晶圆

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SOI晶圆规格：

• 尺寸：4英寸；
• 类型：P型或N型；
• 取向：<100> <111>；
• 主平面长度：32.5mm±2.5；
• 掺杂剂：B或P；
• SOI器件厚度：2~4微米；
• 器件电阻率：1-100欧姆；
• 热埋氧：1微米±5%或2微米±5% ；
• 衬底厚度：>300微米；
• 衬底电阻率：1~100欧姆；
• 表面：抛光；
• 包装：晶圆盒；