硅片干法氧化层P/N型半导体衬底

♦️用于研究和实验的高品质硅晶圆。

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♦️最快一周内发货。通过FedEx、DHL、UPS等发货。

硅晶圆规格：

• 尺寸：4英寸；
• 方法：直拉法；
• 类型：P型；
• 掺杂剂：硼；
• 晶向：100；
• 电阻率：1~10Ω；
• 厚度：525微米±25；
• 氧化膜：280/300/500纳米（双面）；
• TTV＜10微米；
• 表面：抛光；
• 背面：刻蚀；
• 包装：硅晶圆盒；