硅晶圆 8英寸 P型 1-100Ω 氧化层 半导体衬底

♦️ 用于研发和实验的高质量硅晶圆。

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硅晶圆规格：

• 尺寸：8英寸；
• 方法：CZ；
• 类型：P；
• 掺杂剂：B；
• 晶向：100；
• 电阻率：1~100Ω；
• 厚度：725微米±25；
• 氧化膜：100纳米（双面）；
• 表面：抛光；
• 背面：蚀刻；
• 包装：硅晶圆盒；