SOKA TECHNOLOGY
6英寸硅晶圆 P/N型(100) 1~100欧姆 氧化层半导体衬底
规格:P(100) 625微米氧化层 300纳米
数量:1 件
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规格:P(100) 625微米氧化层 300纳米
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规格:P(100) 625微米氧化层 300纳米
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硅片规格:
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尺寸:6 英寸;
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方法:CZ;
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类型:P;
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掺杂剂:B;
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晶向:100;
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电阻率:1~10Ω·cm;
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厚度:625um±25;
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氧化层:300(双面);
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TTV<15um;
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表面:抛光;
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背面:刻蚀;
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包装:硅片盒;
