Silicon wafer 4inch P Type(100) SiN on SiO₂ Substrate in storage containers, showcasing high-quality materials.
Silicon wafer 4inch P Type(100) SiN on SiO₂ Substrate - High-quality research material.

SOKA TECHNOLOGY

4英寸P型(100)硅衬底，带氮化硅/二氧化硅层

$2,132.00
数量:25项
规格:SiN 在 SiO₂ 上
数量:
♦️ 高质量硅片，适用于研究和实验。
♦️ 提供小批量、特殊规格产品和定制服务。
♦️全球发货、安全支付、库存充足。
♦️最短交货时间为1周内。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
硅片规格：
  • 尺寸：4英寸；
  • 方法：CZ；
  • 类型：P；
  • 掺杂剂：B；
  • 晶向：100；
  • 电阻率：<0.0015Ω·cm；
  • 厚度：525微米±25；
  • 氮化硅层：150纳米/300纳米（双面）；
  • 总厚度变化（TTV）<10微米；
  • 表面：抛光；
  • 背面：刻蚀；
  • 包装：硅片盒；