SOKA TECHNOLOGY
硅晶圆 4英寸 P/N 型 0.01~0.09Ω 氧化层 半导体衬底
规格:P(100) 525微米氧化层 280纳米
数量:1 件
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规格:P(100) 525微米氧化层 280纳米
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♦️高质量硅片,适用于研究和实验。
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♦️全球发货,安全支付,库存充足。
♦️最快1周内发货。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
硅片规格:
- 尺寸:4英寸;
- 生长方式:直拉法 (CZ);
- 类型:N型;
- 掺杂剂:锑 (Sb);
- 晶向:100;
- 电阻率:0.01~0.09Ω;
- 厚度:525um±25;
- 氧化膜:300nm(双面);
- TTV<10um;
- 表面:抛光;
- 背面:刻蚀;
- 包装:硅片盒;
