SOKA TECHNOLOGY
硅晶圆 4英寸 P/N 型 10~20Ω 氧化层半导体衬底
规格:P(100) 525微米氧化层 300纳米
数量:1 件
数量:
选择方案
规格:P(100) 525微米氧化层 300纳米
数量:1 件
数量:
规格:P(100) 525微米氧化层 300纳米
数量:1 件
数量:
♦️用于研究和实验的高质量硅片。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务。
♦️全球发货,安全支付,库存充足。
♦️最短交货时间1周内。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
硅片规格:
- 尺寸:4英寸;
- 方法:直拉法;
- 类型:P型;
- 掺杂剂:硼;
- 晶向:100;
- 电阻率:10~20欧姆;
- 厚度:525微米±25;
- 总厚度偏差<10微米;
- 表面:抛光;
- 背面:刻蚀;
- 氧化膜:300纳米(双面);
- 包装:硅片盒;
