4英寸硅晶圆 P/N型 1~10Ω 氧化层半导体衬底

♦️用于研究和实验的高品质硅晶圆。

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硅晶圆规格：

• 尺寸：4英寸；
• 方法：直拉法；
• 类型：P型；
• 掺杂剂：硼；
• 晶向：100；
• 电阻率：1~10Ω；
• 厚度：525um±25；
• 氧化膜：280/300/500nm（双面）；
• 总厚度变差（TTV）＜10um；
• 表面：抛光；
• 背面：刻蚀；
• 包装：硅晶圆盒；