硅晶圆 4英寸 P/N 型 0.001~0.009Ω 氧化层 半导体衬底

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硅片规格：

• 尺寸：4英寸；
• 方法：CZ；
• 类型：P；
• 掺杂剂：B；
• 取向：100；
• 电阻率：0.001~0.005Ω；
• 厚度：525微米±25；
• 氧化膜：500纳米（双面）；
• TTV＜10微米；
• 表面：抛光；
• 背面：刻蚀；
• 包装：硅片盒；