Silicon wafer 4inch P Type(100) SiN on SiO₂ Substrate - High-quality research material.
Silicon wafer 3inch P/N Type 1~10Ω Oxide Layer Semiconductor Substrate - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

硅晶圆 3英寸 P/N 型 1~10Ω 氧化层半导体衬底

$54.00
规格:P(100) 380微米氧化层 300纳米
数量:1 件
数量:
♦️高品质硅晶圆，适用于研究和实验。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务。
♦️全球发货，安全支付，大量库存。
♦️最快1周内发货。通过FedEx、DHL、UPS等运输。
硅晶圆规格：
  • 尺寸：3英寸；
  • 方法：CZ；
  • 类型：N；
  • 掺杂剂：P；
  • 晶向：100；
  • 电阻率：1~10Ω；
  • 厚度：500微米±25；
  • 氧化层：100纳米（双面）；
  • TTV＜10微米；
  • 表面：抛光；
  • 背面：刻蚀；
  • 包装：硅晶圆盒；