SOKA TECHNOLOGY
2英寸P型硅晶圆 10~20Ω 氧化层 半导体衬底
规格:P(100) 525微米氧化层100纳米
数量:1 件
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规格:P(100) 525微米氧化层100纳米
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♦️高质量硅晶圆,适用于研究和实验。
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硅晶圆规格:
- 尺寸:2 英寸;
- 方法:CZ;
- 类型:P;
- 掺杂剂:B;
- 方向:100;
- 电阻率:10~20Ω;
- 厚度:525um±25;
- 氧化层:50nm /100nm/500nm(双面);
- TTV<10um;
- 表面:抛光;
- 背面:刻蚀;
- 包装:硅晶圆盒;
