Silicon wafer 3inch P/N Type 1~10Ω Oxide Layer Semiconductor Substrate - Soka Technology
Silicon wafer 4inch P Type(100) SiN on SiO₂ Substrate - High-quality research material.

SOKA TECHNOLOGY

2英寸硅晶片 P/N型 0.01~0.09Ω 氧化层半导体衬底

售价$49.00
规格:P(100) 525微米氧化层100纳米
数量:1 件
数量:
♦️高质量硅晶圆,适用于研究和实验。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务
♦️全球发货、安全支付、大量库存
♦️最短交货时间一周内。通过 FedEx、DHL、UPS 等发货。
硅晶圆规格:
  • 尺寸:2 英寸;
  • 方法:直拉法;
  • 类型:N 型;
  • 掺杂剂:锑;
  • 晶向:100;
  • 电阻率:0.01~0.02Ω;
  • 厚度:525微米±25;
  • 氧化层:280纳米/500纳米(双面);
  • TTV<10微米;
  • 表面:抛光;
  • 背面:刻蚀;
  • 包装:硅晶圆盒;