SOKA TECHNOLOGY
2英寸硅晶片 P/N型 0.01~0.09Ω 氧化层半导体衬底
规格:P(100) 525微米氧化层100纳米
数量:1 件
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规格:P(100) 525微米氧化层100纳米
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规格:P(100) 525微米氧化层100纳米
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♦️高质量硅晶圆,适用于研究和实验。
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硅晶圆规格:
- 尺寸:2 英寸;
- 方法:直拉法;
- 类型:N 型;
- 掺杂剂:锑;
- 晶向:100;
- 电阻率:0.01~0.02Ω;
- 厚度:525微米±25;
- 氧化层:280纳米/500纳米(双面);
- TTV<10微米;
- 表面:抛光;
- 背面:刻蚀;
- 包装:硅晶圆盒;
