12英寸P型1-100Ω硅晶圆氮化硅层半导体衬底

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硅晶圆规格：

• 尺寸：12英寸；

• 方法：直拉法；

• 类型：P型；

• 掺杂剂：B；

• 晶向：100；

• 电阻率：1~100Ω；

• 厚度：775微米±25；

• 氮化硅层：100纳米/200纳米；

• 表面：抛光；

• 背面：抛光；

• 包装：硅晶圆盒；