硅晶圆 12英寸 P型 1-100Ω 氧化层 半导体衬底

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硅晶圆规格：

• 尺寸：12英寸；
• 方法：直拉法；
• 类型：P；
• 掺杂剂：B；
• 取向：100；
• 电阻率：1~100Ω；
• 厚度：775um±25；
• 氧化膜：100nm/300nm/500nm/1000nm（双面）；
• 表面：抛光；
• 背面：抛光；
• 包装：硅晶圆盒；