Silicon Nitride Thermal Substrate SiN IGBT Heat Sink with copper cladding stacked on top of each other.
Silicon Nitride Thermal Substrate SiN IGBT Heat Sink with copper cladding, showcasing high-quality conductive material.

SOKA TECHNOLOGY

覆铜IGBT氮化硅热沉热基板

售价$949.00
Size:114×114×0.32毫米
铜层:0.5毫米
数量:10件
数量:
♦️ 用于IGBT等的高品质氮化硅导电衬底
♦️ 可提供小批量、特殊规格产品和定制服务
♦️全球发货、安全支付、大量库存
♦️最快1周内发货。通过FedEx、DHL、UPS等运输。
覆铜氮化硅衬底规格:
  • 尺寸: 114×114×0.32mm / 190×138×0.32mm
  • 导热系数 (25 ℃):  ≥85 W/(m•k);
  • 铜层:0.5mm(双面);
  • 表面粗糙度 ≤1Ra ;
  • 体积密度 3.20 ± 0.05 g/cm3
  • 弹性模量 300~320 Gpa
  • 泊松比 ≤0.29
  • 维氏硬度 ≥14.2 Gpa
  • 热膨胀系数(25 ℃ ~ 500 ℃):3.0~3.2(10-6/℃);
  • 断裂韧性 6.0~7.0 MPa
  • 弯曲强度 (三点弯曲) 700~800 MPa
  • 生产时间:3周
氮化硅导热衬底广泛应用于LED、微电子焊接等领域,功率发射器、光伏器件、IGBT模块、半导体封装衬底、其他大功率光电器件和半导体器件。