Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.
Silicon carbide substrate wafer placed in a clear containing, showcasing its high-quality finish for research applications.

SOKA TECHNOLOGY

碳化硅衬底 8英寸 4H 半绝缘 虚拟级 碳化硅晶圆 IGBT

$2,888.00
年级:虚拟评分
数量:2件
数量:
♦️用于研究和实验的高质量碳化硅晶圆。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务。
♦️全球发货，安全支付，库存充足。
♦️最快1周内发货。通过FedEx、DHL、UPS等快递运输。
碳化硅衬底规格：
  • 尺寸：8英寸；
  • 直径：200mm±0.2；
  • 厚度：500um±25；
  • 表面取向：<0001>；
  • 缺口方向：[1-100]±5°；
  • 缺口深度：1~1.5mm；
  • 微管密度：≤50/cm2；
  • 电阻率：70%面积>1E5Ω；
  • LTV：<15um(10*10mm)
  • TTV≤20um；
  • Warp≤70um；
  • Bow≤-65um~65um；
  • 多型：<30%累计面积；
  • 裂纹：无；
  • 粗糙度：无；
  • 边缘：倒角；
  • 表面光洁度：双面抛光，Si面CMP；
  • 包装：多片盒式或单片容器；