Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.
Silicon carbide substrate wafer placed in a clear containing, showcasing its high-quality finish for research applications.

SOKA TECHNOLOGY

碳化硅衬底 8英寸 N型 生产/测试级 4H SiC 晶圆 IGBT

$3,095.00
年级:P型mos管等级
厚度:350微米
数量:2件
数量:
♦️用于研究和实验的高质量碳化硅晶圆。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务。
♦️全球发货，安全支付，库存充足。
♦️最短交货时间1周内。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
碳化硅衬底规格：
  • 尺寸：8英寸；
  • 直径：200mm±0.2；
  • 厚度：500um±25；
  • 表面取向：朝向 [11-20]±0.5°；
  • 刻痕取向：[1-100]±1°；
  • 刻痕深度：1±0.25mm；
  • 微管密度：<5cm2；
  • 六角形区域：面积≤5%；
  • 电阻率：0.014~0.028Ω；
  • EPD：不适用；
  • TED：不适用；
  • BPD：不适用；
  • TSD：不适用；
  • SF：不适用；
  • TTV≤15um；
  • Warp≤60um；
  • Bow≤40um；
  • 多晶区域：≤5%；
  • 崩边/凹痕：数量：2≤1mm 宽和深；
  • 划痕：累计长度≤1.5 晶圆直径；
  • 污渍：无；
  • 晶圆边缘：倒角；
  • 表面光洁度：双面抛光，Si面CMP；
  • 包装：多晶圆盒或单晶圆容器；
NG级产品和Dummy级产品的主要区别在于表面多晶区域。
NG级多晶区域通常 >5%
NG产品主要用于设备测试，具有更好的性价比