Silicon carbide substrate wafer placed in a clear containing, showcasing its high-quality finish for research applications.

SOKA TECHNOLOGY

碳化硅外延衬底6英寸生产级碳化硅晶圆IGBT

$1,912.00
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♦️高质量SiC晶圆，适用于研究和实验。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务。
♦️全球发货，安全支付，大量库存。
♦️最短交货时间1周内。通过FedEx、DHL、UPS等快递发货。
SiC衬底规格：
  • 尺寸：6英寸；
  • 直径：150毫米±0.5；
  • 厚度：350微米±25；
  • 类型：偏轴：N型；
  • 主平面位置：<1120>+/-5度；
  • 外延表面检测

  • 表面坑（尺寸 > 0.2微米）：≤ 5000个

  • 表面缺陷（尺寸 > 10微米）：≤ 1个/平方厘米；

  • BPD计数：≤ 20个

  • 晶粒成品率（2*2毫米，EE 5毫米）：≥ 95%；

  • 缓冲层

  • 目标厚度（平均）：0.5微米±10%；

  • 目标掺杂浓度（平均）：1.0E18/立方厘米±10%；

  • 漂移层

  • 目标厚度（平均）：10微米±6%；

  • 目标掺杂浓度（平均）：8.5E15/立方厘米±10%；

  • 晶圆边缘：倒角；
  • 表面光洁度：双面抛光，Si面CMP；
  • 包装：多片盒或单片容器；