Silicon Carbide Substrate 3C/6H/ Dummy Grade SiC Wafer, high-quality research SiC wafers.
Silicon carbide substrate wafer placed in a clear containing, showcasing its high-quality finish for research applications.
Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.

SOKA TECHNOLOGY

碳化硅衬底 8 英寸 4H 光学碳化硅晶圆

$2,132.00
尺寸:8英寸
数量:1 件
数量:
♦️用于研究和实验的高质量碳化硅晶圆。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务。
♦️全球发货，安全支付，库存充足.
♦️最短交货时间1周内。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
碳化硅衬底规格：
  • 尺寸：8英寸；
  • 多晶类型：4H；
  • 直径：200毫米±0.2；
  • 厚度：500/700微米±25；
  • 表面取向（轴向）：<0001>；
  • 吸收率：<0.5%@450-650纳米；
  • 折射率：>2.65@589纳米；
  • 雾度：<0.3%@可见光；
  • 表面取向（轴向）：<0001>；
  • 表面取向（偏轴）：0°/1°/4°±0.5°；
  • 微管密度：≤1个/平方厘米；
  • 可见碳密度：无；
  • LTV≤2微米（40毫米*40毫米）；
  • TTV≤3微米；
  • 翘曲度≤10微米；
  • 弓曲度≤-5微米~5微米；
  • 表面粗糙度：Ra≤0.5纳米（10微米*10微米）；
  • 多晶区域：无；
  • 刻槽方向：<1-100>±1°；
  • 刻槽深度：1~1.25毫米；
  • 边缘碎裂/凹痕/针孔：无；
  • 表面光洁度：双面化学机械抛光（CMP）；
  • 包装：多晶圆盒或单晶圆容器；
  • 生产时间：2~3周；