Silicon carbide substrate wafer placed in a clear containing, showcasing its high-quality finish for research applications.
Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.

SOKA TECHNOLOGY

碳化硅衬底 4英寸 虚设等级 4H N型 碳化硅晶圆 IGBT

$2,146.00
年级:D级
尺寸:4英寸
数量:8 件
数量:
♦️高品质碳化硅晶圆，用于研究和实验。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务。
♦️全球发货，安全支付，库存充足。
♦️最快1周内发货。通过FedEx、DHL、UPS等方式运输。
碳化硅衬底规格：
  • 尺寸：6英寸；
  • 直径：150mm±0.25；
  • 厚度：350um±25；
  • 表面取向：朝向[11-20]±5°偏转4°；
  • 主平面取向：[11-20]±5°；
  • 主平面长度：47.5mm±1.5；
  • 次平面：无；
  • 微管密度：≤10/cm2；
  • 电阻率：0.015~0.028Ω；
  • TTV≤10um；
  • Warp≤55um；
  • Bow≤45um；
  • 表面粗糙度：Si面Ra＜0.5 nm；
  • 裂纹：无；
  • 粗糙度：无；
  • 崩边：≤2，每个长度和宽度＜1mm；
  • 表面抛光：双面抛光，Si面CMP；
  • 包装：多片晶圆盒或单片晶圆盒；