Silicon Carbide Substrate 3C/6H/ Dummy Grade SiC Wafer, high-quality research SiC wafers.
Silicon carbide substrate wafer placed in a clear containing, showcasing its high-quality finish for research applications.
Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.

SOKA TECHNOLOGY

碳化硅衬底 4英寸 6英寸 4H光学碳化硅晶圆

$2,648.00
尺寸:4英寸
数量:5 件
数量:
♦️用于研究和实验的高质量碳化硅晶圆。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务。
♦️全球发货，安全支付，大量库存。
♦️最短交货时间1周。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
碳化硅衬底规格：
  • 尺寸：6英寸；
  • 多型：4H；
  • 直径：150mm±0.2；
  • 厚度：500/700um±25；
  • 表面取向（轴向）：<0001>；
  • 吸收率：<0.5%@450-650nm；
  • 折射率：>2.65@589nm；
  • 雾度：<0.3%@可见光；
  • 表面取向（轴向）：<0001>；
  • 表面取向（偏轴）：0°/1°/4°±0.5°；
  • 微管密度：≤0.2 ea/cm2；
  • 可见碳密度：无；
  • LTV≤1.5μm(40mm*40mm)；
  • TTV≤2.5μm；
  • 翘曲≤10μm；
  • 弯曲≤-5μm~5μm；
  • 表面粗糙度：Ra≤0.5nm(10μm*10μm)；
  • 多晶区域：无；
  • 切口方向：<1-100>±1°；
  • 切口深度：1~1.25mm；
  • 边缘碎裂/凹痕/针孔：无；
  • 表面处理：双面CMP；
  • 包装：多晶圆盒或单晶圆容器；
  • 生产时间：2~3周；