Silicon Carbide Substrate 3C/6H/ Dummy Grade SiC Wafer in round container with blue-green gel surface.
Silicon Carbide Substrate 3C/6H/ Dummy Grade SiC Wafer, high-quality research SiC wafers.

SOKA TECHNOLOGY

碳化硅衬底 3C/6H/虚拟级碳化硅晶圆

$516.00
类型:3C N 型
尺寸:10x10毫米
数量:1 件
数量:
♦️高质量碳化硅晶圆，可用于研发实验。
♦️提供小批量、特殊规格产品及定制服务。
♦️全球发货，安全支付，库存充足。
♦️最短交货时间1周。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
碳化硅衬底规格：
  • 尺寸：2英寸；
  • 多型：3C；
  • 直径：50mm±0.38；
  • 厚度：350um±25；
  • 表面取向，轴向：(111)0.5；
  • 微管密度：0 cm-2；
  • 电阻率 <0.8 m.cm；
  • 主平面取向：{1-10}±0.5°；
  • 主平面长度：15.9mm1.7mm；
  • 副平面取向：硅面朝上：距主平面90CW，5.0；
  • 副平面长度：8.0mm1.7 mm；
  • TTV≤5μm；
  • 翘曲≤15μm；
  • 弯曲≤-30μm；
  • 表面粗糙度：CMPRa<0.2 nm；
  • 边缘裂纹：允许1条，1 mm；
  • 六角板：累积面积3 %；
  • 多型区域：累积面积5%；
  • 硅表面划痕：8条划痕至1x晶圆直径累积长度；
  • 边缘崩边：允许5个，每个1mm；
  • 硅表面污染：无；
  • 边缘排除区：3mm；
  • 表面光洁度：双面CMP；
  • 包装：多晶圆盒或单晶圆盒；
  • 生产时间：4~5周；