InP Substrate 2inch Semi - insulating 111B Indium Phosphide Semiconductor Wafer - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

InP衬底 2英寸N型磷化铟半导体晶圆

售价$1,080.00
数量:1 件
♦️用于研究和实验的高质量磷化铟晶圆。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务
♦️全球发货,安全支付,库存充足
♦️最短交货时间1周内。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
磷化铟 (InP) 规格:
  • 尺寸:2英寸;
  • 直径:50.0毫米±0.3;
  • 掺杂剂:N/InP-S;
  • 取向:(100)2°±0.5°偏向<110>α =225°;
  • 厚度:355微米±15;
  • 主平边取向:[0-1-1]±0.05°;
  • 主平边长度:16毫米±2;
  • 副平边取向:[0-11] ±0.5°;
  • 副平边长度:7毫米±1;
  • 载流子浓度:(3.0-4.0)E18 cm-3;
  • 电阻率:不适用;
  • 迁移率:不适用;
  • EPD:平均值<200cm-2;
  • TTV/TIR:≤10微米;
  • BOW:≤10微米;
  • WARP:≤15微米;
  • 正面:抛光;
  • 背面:蚀刻;
  • 包装:晶圆盒;
  • 交货时间:2~3周;