GaN on Sapphire wafer 4inch PG GaN Gallium nitride Semiconductor Substrate, showing two round wafers.
GaN on Sapphire wafer 4inch PG GaN Gallium nitride Semiconductor Substrate in packaging.

SOKA TECHNOLOGY

氮化镓硅衬底6英寸耗尽型氮化镓晶圆

$10,314.00
数量:6件
数量:
♦️高质量 GaN 晶圆，用于研究和实验。
♦️提供少量、特殊规格产品和定制服务
♦️全球发货，安全支付，库存充足。
♦️最快1周内发货。通过FedEx、DHL、UPS等快递发货。
GaN on Si 规格：
  • GaN 层
  • 总缺陷：<1000（缺陷尺寸≥0.3um）；
  • AlGaN 势垒：30+/-20nm（均匀性<10%）；
  • 总厚度：2700+/-500nm（均匀性<10%）；

 

  • 硅衬底
  • 尺寸：6英寸；
  • 类型：P；
  • 方向：111；
  • 电阻率：0.002 欧姆-厘米；
  • 厚度：675um±15；
  • 背面表面：研磨和酸蚀刻；
  • 包装：晶圆盒；
  • 生产时间：6~8周；