GaN on Sapphire wafer 4inch PG GaN Gallium nitride Semiconductor Substrate in packaging.
GaN on Sapphire wafer 4inch PG GaN Gallium nitride Semiconductor Substrate, showing two round wafers.

SOKA TECHNOLOGY

蓝宝石基氮化镓晶圆 4英寸 PG GaN 氮化镓 半导体衬底

$9,798.00
尺寸:4英寸
数量:3件
数量:
5♦️高品质氮化镓晶圆，适用于研发和实验。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务
♦️全球发货、安全支付、大量库存.
♦️最短交货时间1周内。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
蓝宝石衬底上的氮化镓规格：
  • 衬底：蓝宝石；
  • 直径：100±0.5mm；
  • 晶向：C平面0.2±0.1°偏向M平面；
  • 厚度：750±25um；
  • 定向边：A平面±0.3°；
  • 定向边长度：30±1mm；
  • 正面：Epi-ready Ra ≤0.5nm（典型）；
  • 背面：Epi-ready Ra ≤0.5nm（典型）；
  • 总厚度变化 (TTV)：≤10um；
  • 弓曲：-10~10um；
  • 翘曲：≤ 15um；
  • 激光刻印：有；
  • 外延片结构
  • 第二层：N-GaN 2~3um；
  • 第一层：缓冲层 2~3um；
  • 第0层：衬底；
  • 外延特性
  • 总外延厚度：5~6um；
  • 厚度标准偏差：<3%；
  • XRD GaN (002)：≤100 弧秒；
  • XRD GaN (102)：≤100 弧秒；
  • 位错密度：~ 1e7 cm-2；
  • 导电性：N型；
  • 电阻率：≤0.1 (ohm-cm)；
  • 表面粗糙度：Ra ≤ 1.0 nm；
  • SORI≤ 120 um；
这种新型蓝宝石衬底上的氮化镓以及氮化镓衬底的氮化镓晶体质量达到了可比水平。
目前，PQGaN是一种高质量的单层氮化镓材料，可用作衬底。客户可以在其上延伸氮化镓结构。
此外，如果需要，我们还可以代表您在PQGaN衬底上制造客户指定的氮化镓延伸结构。