GaN on Sapphire wafer 4inch P GaN Gallium nitride Semiconductor Substrate, showing various wafer sizes.
GaN on Sapphire wafer 4inch P GaN Gallium nitride Semiconductor Substrate on a clear holder.

SOKA TECHNOLOGY

蓝宝石衬底上氮化镓晶圆 4英寸 P型 氮化镓半导体衬底

$5,776.00
尺寸:4英寸
数量:6件
数量:
♦️用于研发实验的高质量 GaN 晶圆。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务
♦️全球配送，安全支付，大量库存.
♦️最快1周内发货。通过FedEx、DHL、UPS等运输。
蓝宝石衬底GaN外延片规格：
  • 尺寸：2英寸；
  • 镁掺杂；
  • 直径：50.8 mm±0.3 mm；
  • 厚度/厚度标准：4.5 ± 0.5 μm / < 3%；
  • GaN晶向：C面 (0001) 偏A轴 0.2 ± 0.1°；
  • GaN定向平面：(1-100) 0 ± 0.2°, 16 ± 1 mm；
  • 导电类型：P型；
  • 电阻率 (300K)：< 10 Ω·cm；
  • 载流子浓度：> 1 x 1017 cm -3 (p+GaN掺杂浓度 ≥ 5 x 1019 cm -3)；
  • 迁移率：> 5cm2/V·s；
  • 结构：~ 0.5 μm p+GaN/~ 1.5 μm p-GaN /~ 2.5 μm uGaN /~ 25 nm uGaN 缓冲层/430 ±25 μm 蓝宝石；
  • XRD半高宽：(0002)<300角秒,(10-12)<400角秒；
  • 蓝宝石晶向：C面 (0001) 偏M轴 0.2 ± 0.1°；
  • 蓝宝石定向平面：(11-20) 0 ± 0.2°, 16 ± 1 mm；
  • 蓝宝石抛光：单面抛光(SSP)/双面抛光(DSP)；
  • 可用面积：> 90% (不含边缘和宏观缺陷)；
  • 晶圆盒；