蓝宝石衬底上氮化镓晶圆 2英寸 PG 氮化镓半导体衬底

♦️高品质氮化镓晶圆，适用于研究和实验。

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蓝宝石衬底氮化镓规格：

• 衬底：蓝宝石；

• 直径：50.8+0.1mm；

• 方向：C面0.2 +0.1°至M面；

• 厚度：430+15um；

• 定向平面：A面10.25°；

• 定向平面长度：16+1 mm；

• 正面：CMP Ra ≤ 0.2nm；

• 背面：研磨（Ra：0.6 ~ 1.2um）；

• 总厚度变化：≤10um；

• 弯曲度：-10~0um；

• 翘曲度：≤ 10um；

• 激光标记：是；

• 外延片结构

• 第二层：N-GaN 2~3um；

• 第一层：缓冲层2~3um；

• 第0层：衬底；

• 外延特性

• 总外延厚度：5~6um；

• 厚度标准差<3%；

• XRD GaN (002)：≤100 弧秒；

• XRD GaN (102)：≤100 弧秒；

• 位错密度：~ 1e7 cm-2；

• 导电性：N型；

• 电阻率：≤0.1 (欧姆-厘米)；

• 表面粗糙度：Ra ≤ 0.5 nm；

• 翘曲度：≤ 90 um；

这种新型蓝宝石基氮化镓衬底和氮化镓衬底的氮化镓晶体质量处于可比水平。

目前，PQGaN是一种高质量的单层氮化镓材料，可用作衬底。客户可以在其上延伸氮化镓结构。

此外，如果需要，我们还可以为您在PQGaN衬底上制造客户指定的氮化镓延伸结构。