碳化硅衬底 6英寸 4H N型 生产级/测试级 碳化硅晶圆 IGBT

♦️高品质碳化硅晶圆，用于研究和实验。

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碳化硅衬底规格：

• 尺寸：6英寸；
• 直径：150mm±0.25；
• 厚度：350um±25；
• 表面取向：朝[11-20]方向偏转4°±5°；
• 主平面取向：[11-20]±5°；
• 主平面长度：47.5mm±1.5；
• 副平面：无；
• 微管密度：≤10/cm2；
• 电阻率：0.015~0.028Ω；
• TTV≤10um；
• 翘曲度≤55um；
• 弓形度≤45um；
• 表面粗糙度：Si面Ra＜0.5 nm；
• 裂纹：无；
• 粗糙度：无；
• 边缘崩边：≤2，每个崩边的长度和宽度＜1mm；
• 表面光洁度：双面抛光，Si面CMP；
• 包装：多片晶圆盒或单片晶圆盒；