Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.
Silicon carbide substrate wafer placed in a clear containing, showcasing its high-quality finish for research applications.

SOKA TECHNOLOGY

碳化硅衬底 4英寸 6英寸 半绝缘 4H NG级 碳化硅晶圆 IGBT

售价$1,052.00
尺寸:4英寸
数量:5 件
数量:
♦️高品质碳化硅晶圆,适用于研究和实验。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务
♦️全球发货,安全支付,大量库存
♦️最短交货时间1周内。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
碳化硅衬底规格:
  • 尺寸:4英寸;
  • 直径:100.8毫米±0.5;
  • 厚度:500微米±25;
  • 表面取向:<0001>±0.2°;
  • 主平面取向:[11-20]±5°;
  • 次平面取向:硅面朝上,距主平面90°顺时针±5°;
  • 微管:不适用;
  • 电阻率:不适用;
  • TTV≤10微米;
  • 翘曲≤45微米;
  • 弓形≤30微米;
  • 表面粗糙度:Si面Ra≤0.5纳米;
  • 裂纹:无;
  • 晶圆边缘:倒角;
  • 表面处理:双面抛光,Si面CMP;
  • 包装:多晶圆盒或单晶圆盒;