Silicon wafer 4inch P Type(100) SiN on SiO₂ Substrate - High-quality research material.
Silicon wafer 3inch P/N Type 1~10Ω Oxide Layer Semiconductor Substrate - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

硅晶圆 3英寸 P型 0.001~0.009Ω 氧化层 半导体衬底

$54.00
规格:P(100) 525微米氧化层 100纳米
数量:1 件
数量:
♦️高品质硅晶圆，适用于研究和实验。
♦️提供小批量、特殊规格产品及定制服务。
♦️全球发货，安全支付，大量库存。
♦️最短交货时间1周内。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
硅晶圆规格：
  • 尺寸：3英寸；
  • 方法：CZ；
  • 类型：P；
  • 掺杂剂：B；
  • 晶向：100；
  • 电阻率：0.01~0.09Ω；
  • 厚度： 525微米±25；
  • 氧化层：300纳米（双面）；
  • TTV＜10微米；
  • 表面：抛光；
  • 背面：蚀刻；
  • 包装：硅晶圆盒；