GaN 蓝宝石衬底晶圆 2 英寸 P 型 GaN 氮化镓半导体衬底

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蓝宝石衬底氮化镓规格：

• 尺寸：2英寸；

• 掺镁；

• 直径：50.8 mm±0.3 mm；

• 厚度/厚度标准：4.5 ± 0.5 μm / < 3%；

• GaN晶向：C面（0001）偏离A轴0.2 ± 0.1°；

• GaN主定向面：(1-100) 0 ± 0.2°, 16 ± 1 mm；

• 导电类型：P型；

• 电阻率（300K）：< 10 Ω·cm；

• 载流子浓度：> 1 x 1017 cm -3（p+GaN掺杂浓度≥ 5 x 1019 cm -3）；

• 迁移率：> 5cm2/V·s；

• 结构：~ 0.5 μm p+GaN/~ 1.5 μm p-GaN /~ 2.5 μm uGaN /~ 25 nm uGaN 缓冲层/430 ±25 μm 蓝宝石；

• XRD FWHMs：（0002）<300 角秒，（10-12）<400 角秒；

• 蓝宝石晶向：C面（0001）偏离M轴0.2 ± 0.1°；

• 蓝宝石主定向面：(11-20) 0 ± 0.2°, 16 ± 1 mm；

• 蓝宝石抛光：单面抛光（SSP）/双面抛光（DSP）；

• 可用面积：> 90%（不包括边缘和宏观缺陷）；

• 晶圆盒；