Three greenish-yellow spheres of varying sizes arranged in a triangular formation on a white background.
Silicon carbide substrate wafer placed in a clear containing, showcasing its high-quality finish for research applications.

SOKA TECHNOLOGY

SiC晶圆 12英寸 虚拟片 N型 4H 碳化硅衬底 IGBT

$13,614.00
尺寸:12英寸
表面:研磨
数量:1 件
数量:
♦️用于研究和实验的高质量碳化硅晶圆。
♦️提供小批量、特殊规格产品和定制服务。
♦️全球发货，安全支付，大量库存。
♦️最短交货时间1周内。通过FedEx、DHL、UPS等发货。
碳化硅衬底规格：
  • 尺寸：12英寸；
  • 直径：300mm±0.5；
  • 厚度：600微米±100；
  • 表面取向：偏离[11-20]方向4°±1°；
  • 刻痕；
  • 微管密度：≤ 5/cm2；
  • 电阻率：无；
  • TTV≤15微米；
  • 表面粗糙度：Si面Ra≤10纳米；
  • 边缘碎裂：无深度大于1毫米的碎裂；
  • 偏光多型区域：面积≤30%；
  • 表面光洁度：C面，Si面研磨；
  • 包装：多晶圆盒或单晶圆容器；